Все большее количество профессионалов в области электроники приходят к тому воззрению, что обширное и резвое развитие нанотехнологий, приведет к скорой "погибели" существующую технологию метало-окисных полупроводников (complementary metal oxide semiconductor, CMOS). Необходимо отметить, что правда, есть много оппонентов этого представления. Хотелось бы напомнить, что посреди их доктор Ханс Сторк, который на состоявшемся не так давно симпозиуме по нанотехнологиям (IEEE Nanotechnology Symposium) заявил о том, что разработка CMOS еще долгое время остается основой электрической индустрии.

В текущее время по сегодняшней технологии CMOS в массовом масштабе делаются чипы по технологии 32 нм, начинают уже появляться чипы, сделанные по технологии 22 нм, а исследователи многих компаний стремятся к освоению технологии 16 нм. Важно напомнить о том, что но этот процесс основан на дорогостоящем и неспешном процессе литографии, способности которого приближаются к собственному лимиту и для сохранения темпов предстоящего развития электроники требуются новые технологии и новые материалы.

Последним достижением в развитии микроэлектроники стала разработка учеными из Института биоинженерии и нанотехнологий (Institute of Bioengineering and Nanotechnology, IBN, Сингапур) новейшей технологии производства дискретных полевых транзисторов, которая может стать более резвой, более четкой и поболее дешевенькой подменой процесса литографии. Важно напомнить о том, что в новеньком процессе употребляются лучи, состоящие из потока электронов и ионов, при помощи которых на подложку, помещенных в среду со специально подобранным составом газов, наносятся элементы полупроводниковых структур. Хотелось бы напомнить, что в собственной статье, размещенной в журнальчике Nanowerk, один из разработчиков новейшей технологии, Соментаз Рой (Somenath Roy), утверждает, что пока, новенькая разработка идеальнее всего подходит для резвого сотворения прототипов и моделей будущих электрических устройств, чем способы, основанные на литографии.

По его словам, новенькая одноступенчатая разработка дает возможность избежать долгого и трудозатратного процесса литографии, наращивает точность производства, что благоприятно влияет на процент выхода готовых изделий. Важно отметить о том, что а более высочайший уровень точности и поболее высочайшая производительность нового способа делают его безупречным решением для резвого производства прототипов наноэлектронных устройств грядущего. Важно отметить о том, что следующая оптимизация технологии дозволит вывести ее на уровень промышленного производства электрических схем наноуровня.

Подробности